Недавнее исследование, проведенное учёными из Китайской академии наук и других институтов Китая, нашло ответы на некоторые вопросы в отношении высоких сверхпроводящих критических температур (Tc) в трехслойных купратах, которые являются материалами с тремя слоями на основе меди.
Одной из ключевых находок исследования является электронное происхождение высокой температуры Tc, которую демонстрируют трехслойные купраты. Предыдущие исследования уже указывали на то, что критическая температура Tc чувствительно зависит от количества плоскостей CuO2 в структурной единице материала и достигает максимума для трехслойных купратов. Также было отмечено, что трехслойные купраты имеют электронную фазовую диаграмму, отличную от обычной фазовой диаграммы.
Однако, основной интерес исследователей заключался в понимании причин максимизации Tc и ее сохранении в сверхлегированной области трехслойных купратов. Для этого они использовали метод фотоэмиссии с угловым разрешением (ARPES) на трехслойном купратном сверхпроводнике Bi2223. ARPES - это мощный экспериментальный метод, который позволяет исследовать электронную структуру материалов с высоким разрешением.
Результаты исследования позволили более точно определить причину максимальной Tc и ее сохранение в сверхлегированной области трехслойных купратов. Это открытие может иметь важные последствия для развития новых сверхпроводников с еще более высокими температурами сверхпроводимости и более широкими областями применения.
Источник:
Сянью Луо и др., Электронное происхождение критической температуры высокой сверхпроводимости в трехслойных купратах (Xiangyu Luo et al, Electronic origin of high superconducting critical temperature in trilayer cuprates), Nature Physics (2023). DOI: 10.1038/s41567-023-02206-0
-------------------------------------
Вы можете поддержать проект подпиской на канал, реакциями и комментариями, а также подписавшись на наши страницы на других площадках и на сервисе поддержки авторов Бусти. Ссылки найдёте в описании канала. Заранее спасибо!
