Учёные из Индийского технологического института в Индоре изготовили тонкоплёночные фотоэлементы со структурой редкого минерала кусачиита, недавно обнаруженного в Японии. Минерал представляет собой оксид меди-висмута CuBi2O4 - полупроводник с узкой энергетической запрещённой зоной в 1,5 электрон-вольта.
При конструировании фотоэлемента использован подход, заимствованный у создателей перовскитных фотоэлектрических преобразователей. В качестве подложки использовано стекло, покрытое плёнкой оксида олова, легированного фтором (FTO). Оксид олова (прозрачный проводник) образует первый электрод. Поверх него нанесён буферный слой сульфида металлов и рабочий слой полупроводника. Замыкает структуру тонкий слой золота - второй электрод. Используя в качестве буферного слоя сульфид олова, учёные получили весьма высокую эффективность элемента - 27,7%.
Новинка должна быть недорогой в промышленном производстве благодаря хорошо отлаженному процессу получения CuBi2O4.
__________________________________
Спасибо за ваши комментарии и лайки. Нам важно, что вы нас читаете.
