Микросхемы-стабилизаторы напряжения типа КРЕН (К142ЕН…) широко применяются в радиотехнике, различной бытовой аппаратуре. Эти микросхемы (МС) выпускаются на различные значения напряжения стабилизации, среди них есть регулируемые варианты и с фиксированными значениями выходного напряжения.
Ток нагрузки схем стабилизации на таких МС обычно составляет 1,5...3 ампера.
В случаях же, когда нагрузка требует гораздо больших токов, подобные схемы дополняются отдельным узлом на мощном транзисторе, который называется «регулирующим». Этот транзистор управляется непосредственно МС (в данном случае - КРЕН5А) и позволяет пропускать на выход устройства стабилизации токи в несколько раз большие, чем способна обеспечить сама микросхема.
При этом все основные характеристики стабилизатора в целом, например - коэффициент стабилизации, остаются на уровне, который обеспечивает МС.
Но недостаток таких схем состоит в том, что ток через регулирующий транзистор никак не ограничен и, при слишком высоких его значениях, транзистор может быть «пробит». Чтобы этого не случилось, следует каким-то образом ограничить максимально возможную величину тока через транзистор. Сделать это можно так, как показано на схеме.
Параллельно эмиттерному переходу VT1 включаются последовательно два диода D1, D2. Если ток нагрузки превысит 8 ампер, эти диоды открываются, отчего сработает внутренняя (встроенная) система защиты микросхемы от перегрузки. Напряжение на выходе стабилизатора упадёт до нуля и он, таким образом, будет «выключен» до момента снижения тока ниже допустимого уровня (7-8 ампер).
Сама микросхема, а также управляющий мощный транзистор, могут быть заменены на аналогичные отечественные или импортные. Их следует установить на теплоотводы с достаточной площадью охлаждающей поверхности.
Данная схема относится к «простым» вариантам и не лишена, поэтому, отдельных недостатков. Например, значение тока срабатывания системы защиты сильно зависит от параметров применяемых транзисторов и диодов. Но этот недостаток можно исправить, если обеспечить хороший тепловой контакт между их корпусами.
Для того можно диоды закрепить непосредственно на теплоотводе транзистора, исключив при этом электрический контакт (использовать изолирующие прокладки из слюды или специальные теплопроводные прокладки).
