Российские ученые из Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН), который расположен в Нижегородской области разработали новейший микродисковый лазер для среднего диапазона инфракрасного излучения. Результаты их научных изысканий были опубликованы в популярном научном журнале «Applied Physics Letters». Суть нового изобретения В работе лазера важнейшее значение имеют физические параметры материала. Структура нового изобретения является многослойной. Основу ее составляет полупроводниковое соединение элементов (кадмий—ртуть—теллур). Оно является одним из тех немногих, что подходят для генерации излучения среднего инфракрасного диапазона. Его удалось искусственно создать в институте российским ученым. Фотоны инфракрасного излучения способны генерироваться в активной области лазера — в квантовых ямах, что представляют собой тонкий слой полупроводникового соединения. Он имеет толщину в несколько десятков атомов, которые ограничены с двух сторон слоями из проводников иного состава, выполняющ