Исследователи из Национальной ускорительной лаборатории SLAC Министерства энергетики, Стэнфордского университета и Национальной лаборатории Лоуренса Беркли Министерства энергетики (LBNL) впервые вырастили скрученную многослойную кристаллическую структуру и измерили ее свойства. Такая структура открывает перспективы в разработке материалов следующего поколения для солнечных батарей, квантовых компьютеров, лазеров и других устройств.
Кристаллы, разработанные командой, расширили концепцию эпитаксии — явления, которое происходит, когда один тип кристаллического материала упорядоченно растет поверх другого материала. Понимание эпитаксиального роста имело решающее значение для развития многих отраслей промышленности на протяжении более 50 лет, особенно полупроводниковой промышленности. Действительно, эпитаксия является частью многих электронных устройств, которые мы используем сегодня, от сотовых телефонов до компьютеров и солнечных панелей, позволяя электричеству проходить или не проходить через них.
Новая скрученная многослойная кристаллическая структура была создана путем выращивания тонких слоев двух разных материалов друг на друге. Слои были выращены под небольшим углом друг к другу, что привело к скручиванию структуры. Это скручивание привело к новым электронным свойствам, которые могут быть использованы для создания новых типов устройств.
«Эту структуру мы раньше не видели — для меня это было огромным сюрпризом», — сказал И Цуй, профессор Стэнфорда и SLAC и соавтор статьи, опубликованной в журнале Science, с описанием работы. «В будущих экспериментах внутри этой трехслойной скрученной структуры может появиться новое квантовое электронное свойство».
Исследователи считают, что новая скрученная многослойная кристаллическая структура может быть использована для создания более эффективных солнечных батарей, квантовых компьютеров, лазеров и других устройств. Они планируют продолжить изучение свойств этой структуры и ее потенциальных применений.
Источник:
Йи Цуй и др., Скрученная эпитаксия золотых нанодисков, выращенных между скрученными слоями подложки дисульфида молибдена (Yi Cui et al, Twisted epitaxy of gold nanodisks grown between twisted substrate layers of molybdenum disulfide), Science (2024). DOI: 10.1126/science.adk5947
-------------------------------------
Вы можете поддержать проект подпиской на канал, реакциями и комментариями, а также подписавшись на наши страницы на других площадках и на сервисе поддержки авторов Бусти. Ссылки найдёте в описании канала. Заранее спасибо!
