Для производства 3-нм чипов Samsung используют технологию транзисторов GAA (Gate All Around), обеспечивающую более эффективное энергопотребление и повышенную производительность в сравнении с уже используемой FinFET.
Компания начала разработку GAA в начале 2000-х, а впервые успешно применила ее при производстве 3-нм чипов только в 2017-м.
Ожидается, что главный конкурент Samsung на рынке контрактного производства полупроводников — компания TSMC — начнет выпускать 3-нм чипы ориентировочно в четвертом квартале 2022 года. Очевидно, что обе компании будут состязаться за право получить заказы от крупных вендоров вроде AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA и Qualcomm.
