Сейчас ситуация в полупроводниковой промышленности напоминает 1999 год, когда производители процессоров стремились первыми достичь тактовой частоты 1 ГГц, но теперь они соревнуются за право первыми произвести 1-нм транзистор. Ожидается, что TSMC достигнет этой высокой планки не раньше 2030 года, а Intel, скорее всего, опередит ее на несколько лет. Однако, по имеющимся данным, Samsung планирует обойти их обоих, объявив о начале производства 1-нм транзисторов в 2026 году, на год раньше намеченного срока. Правда, речь идет о 1,4-нм, а не совсем о 1 нанометре, но это сделает Samsung первой фабрикой, которая перейдет на технологию меньше 2 нанометров.
Согласно данным аналитической компании TrendForce, Samsung планирует объявить о своих амбициозных планах по производству 1-нм чипов в июне. 12-13 июня компания проведет форум в Кремниевой долине, где представит обновлённую дорожную карту, на которой этап производства по технологии SF1.4 сдвинут на год вперёд – с 2027 на 2026 год. Ранее утвержденная дорожная карта предусматривала начало производства по 2-нм технологии в 2025 году с продолжением в 2026 году. Наконец, на 2027 год был запланирован запуск техпроцесса SF1.4, чтобы конкурировать с 1,4-нм процессом TSMC, который, как ожидается, появится годом позже, в 2027 году или около того, – таким образом, Samsung получит фору перед своим главным конкурентом.
Samsung изменила свою дорожную карту, чтобы опередить TSMC на рынке с 1-нм транзисторами.
Если Samsung выпустит 1,4-нм транзисторы раньше TSMC, это не будет первым случаем, когда ей удастся получить преимущество. Она начала производство 3-нм процессоров в середине 2022 года, опередив TSMC примерно на шесть месяцев, хотя долгое время после этого боролась с проблемами выхода годных изделий. У Samsung также есть преимущество перед TSMC, поскольку в ее 3-нм техпроцессе используются транзисторы с круговым затвором (GAA), в то время как TSMC и Intel по-прежнему используют транзисторы FinFET. Обе компании, TSMC и Intel, перейдут на конструкции GAA с запуском 2-нм техпроцессов, а Samsung уже имеет двухлетний опыт работы с этим типом транзисторов.
К тому времени, когда Samsung перейдет на 1,4-нм техпроцесс, она будет использовать третье поколение процесса GAA, в то время как ее конкуренты будут осваивать его впервые. И Samsung, и TSMC используют для своих GAA-конструкций нанопластины, в то время как Intel переходит на ленточные GAA-транзисторы, которые они называют RibbonFET. Кроме того, Intel и Samsung внедрят подложечное питание на 2-нм уровне, тогда как TSMC не будет использовать эту технологию до будущих версий своего 2-нм процесса.