Компания Samsung объявила о запуске серийного производства самых передовых в отрасли 286-слойных 3D NAND флэш-чипов. Эти новейшие чипы относятся к 9-му поколению 3D NAND технологии Samsung и обладают рекордной плотностью размещения ячеек памяти. По сравнению с предыдущим, 236-слойным поколением 3D NAND, в новых чипах плотность записи информации увеличена на 50%. Это позволило добиться существенного (на 33%) повышения скорости записи и чтения данных. Кроме того, энергопотребление новых чипов снижено на 10%.Такое заметное улучшение характеристик стало возможным благодаря переходу к вертикальной архитектуре размещения ячеек памяти, когда слои флэш-памяти укладываются один над другим внутри кристалла. Это позволяет разместить гораздо больше ячеек на той же площади кристалла. Повышенная емкость и скорость работы новых чипов памяти особенно важны для применения в системах искусственного интеллекта и машинного обучения, которые требуют обработки колоссальных объемов данных. Ожидается, что осн
Samsung начинает серийное производство самой современной памяти NAND
24 апреля 202424 апр 2024
27
1 мин