Опять кликбейт, но опять же отчасти. Речь всё же пойдёт о технологии эффективного отвода тепла от полупроводниковых устройств. Бриллианты, как оказалось, могут быть не только лучшими друзьями девушек, но и ключевыми элементами в передовых технологиях. Не бриллианты, а алмазы, конечно, до блеска шлифовать альмаз для технологических устройств не требуется. И получать их можно искусственно. Так вот, ученые из столичного университета Осаки провели серию исследований, которые показали, что алмазы могут использоваться в качестве подложки для транзисторов из нитрида галлия (GaN). Эти транзисторы являются мощными полупроводниковыми устройствами, применяемыми в силовых устройствах, системах передачи данных и спутниковой связи.
Современные технологии требуют все более компактных устройств, это касается и силовой электроники. Это приводит к возникновению проблем с повышенной мощностью и выделением тепла, что в свою очередь может негативно сказаться на производительности, надежности и сроке службы этих устройств. Поэтому эффективное управление температурным режимом играет решающую роль.
Алмаз, обладающий самой высокой теплопроводностью среди всех материалов природного происхождения, идеально подходит в качестве материала-подложки. Однако, ранее его применение было затруднено из-за сложностей соединения алмаза с элементами GaN. Однако исследователи из столичного университета Осаки под руководством доцента Цзянбо Ляна и профессора Наотэру Сигэкавы разработали новую технологию, позволяющую успешно создавать GaN-транзисторы с высокой подвижностью электронов, используя алмаз в качестве подложки.
Их исследования показали, что новая технология обеспечивает более чем в два раза большую эффективность рассеивания тепла по сравнению с транзисторами, изготовленными на подложке из карбида кремния (SiC). Для максимизации теплопроводности алмаза, исследователи добавили слой 3C-SiC, кубического политипа карбида кремния, между GaN и алмазом. Это значительно снижает термическое сопротивление интерфейса и улучшает отвод тепла.
Профессор Лян отметил, что эта новая технология имеет потенциал для сокращения выбросов CO2 и может революционизировать развитие силовой и радиочастотной электроники, предоставляя улучшенные возможности для управления температурным режимом.
Источник:
Ре Кагава и др., Высокая термическая стабильность и низкое термическое сопротивление переходов GaN/3C-SiC/алмаз большой площади для практических процессов изготовления устройств (Ryo Kagawa et al, High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C‐SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes), Small (2023). DOI: 10.1002/smll.202305574
-------------------------------------
Вы можете поддержать проект подпиской на канал, реакциями и комментариями, а также подписавшись на наши страницы на других площадках и на сервисе поддержки авторов Бусти. Ссылки найдёте в описании канала. Заранее спасибо!
