Samsung, один из лидеров в области производства микросхем памяти, анонсировал разработку нового типа оперативной памяти DDR5, который обещает увеличить емкость, скорость и энергоэффективность модулей ОЗУ. Новая память DDR5 будет иметь ёмкость 32 Гбит (4 ГБ) на одну микросхему, что позволит создавать модули объемом до 128 ГБ для настольных и серверных компьютеров. Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений.
DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory), которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. DDR5 была разработана организацией JEDEC, которая определяет спецификации и стандарты для микроэлектроники. DDR5 предлагает ряд преимуществ по сравнению с предыдущим стандартом DDR4, таких как:
— Увеличение скорости передачи данных с 3200 МТ/с (мегатранзакций в секунду) до 6400 МТ/с, а в перспективе — до 8400 МТ/с.
— Уменьшение напряжения питания с 1,2 В до 1,1 В, что снижает энергопотребление и тепловыделение.
— Увеличение емкости на одну микросхему с 16 Гбит (2 ГБ) до 32 Гбит (4 ГБ), что позволяет создавать модули большего объема.
— Улучшение надежности и стабильности работы за счет внедрения новых технологий коррекции ошибок и управления термическим режимом.
Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии, чем аналогичный модуль на базе микросхем ёмкостью 16 Гбит.
Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей. Например, для настольных компьютеров можно будет использовать модули UDIMM (Unbuffered Dual In-line Memory Module) или SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) объемом до 64 ГБ. Для серверов можно будет использовать модули RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) или LRDIMM (Load Reduced Dual In-line Memory Module) объемом до 128 ГБ. А для самых требовательных задач можно будет применять модули TSV (Through Silicon Via) или 3DS (3D Stacking) объемом до 1 ТБ. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти.
Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний.
Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. С помощью новой памяти можно будет создавать компьютеры с огромным объемом оперативной памяти, которая будет работать быстрее и эффективнее, чем существующие решения.