В начале прошлого года один из крупнейших мировых производителей DRAM памяти американская Micron Technology Inc. начала массовое производство ультрасовременной памяти HBM DRAM. Именно такой формат используется в дата-центрах искусственного интеллекта.
DRAM: dynamic random access memory = динамическая память с произвольным доступом. Вид оперативной памяти, обеспечивающий временное хранение данных, которые используются, когда на компьютере запущены программы и приложения.
HBM: high bandwidth memory = память с высокой пропускной способностью. Использует технологию 3D-стекирования: слои чипов соединяются с помощью вертикальных каналов (сквозных кремниевых переходов).
Более того, новейшие графические процессоры H200 с тензорными ядрами (специализированные аппаратные блоки, позволяющие эффективно выполнять вычисления, связанные с заадчами ИИ) мирового лидера американской Nvidia стали укомплектовываться именно HBM DRAM устройствами Micron. Интрига заключается в том, что до этого момента доминирующим поставщиком HBM памяти для Nvidia являлся южнокорейский полупроводниковый гигант SK Hynix. Корейский передовик и по сей день контролирует более половины мирового рынка HBM памяти, опережая в этом сегменте даже своего соотечественника, крупнейшего в мире производителя компьютерной памяти, Samsung Electronics.
Однако спокойные времена для SK Hynix, очевидно, закончились. Micron при поддержке своего правительства развернул бурное строительство новых производственных мощностей на территории США. Многомиллиардные госсубсидии должны поспособствовать возобновлению массового производства микросхем памяти на американской земле. В 2023 году Micron начал строительство в Бойсе, штат Айдахо, первой за последние двадцать лет фабрики компьютерной памяти в США. Строительство должно обойтись в немалые 15 млрд долларов.
Кроме того, Micron запланировал строительство ещё более крупного производства в Клэе, штат Нью-йорк, стоимостью порядка 100 миллиардов долларов. Как правило, в наши дни передовая полупроводниковая фабрика обходится в несколько десятков миллиардов долларов. О таких суммах идёт речь относительно возводимых сейчас в США фабрик тайваньской TSMC и южнокрейской Samsung Electronics. Так что переход в лигу стамиллиардных фабрик действительно впечатляет.
По мере ввода новых американских фабрик обстановка для SK Hynix будет становиться всё менее идиллической. А ведь были времена, когда порядка 80% мирового объёма DRAM памяти производилось японскими компаниями, прежде всего: NEC, Toshiba и Hitachi. Но XX век закончился, и вместе с ним ушла эпоха лидерства японской микроэлектроники. Теперь из заметных японских игроков в этой отрасли осталась только Kioxia (бывшая Toshiba Memory), да и то контролируемая американцами. А совместный проект NEC и Hitachi под названием Elpida Memory обанкротился ещё в 2012 году.
Китайский передовик в области производства DRAM памяти: CXMT, - пока тоже не накачал достаточно мускулов, чтобы всерьёз вмешаться в схватку Micron и SK Hynix. Европа после банкротства в 2009 году своего передовика по части компьютерной памяти, немецкой Qimonda (была cоздана Infineon), также ничего выдающегося в этой области продемонстрировать не смогла. Так что очень похоже, что ближайшее десятилетие именно Micron и SK Hynix будут задавать тон в передовой энергозависимой памяти. Хотя вполне возможно, что Samsung Electronics, инициировавший строительство мегакластера микроэлектроники неподалёку от Сеула, сможет в очередной раз показать всем, кто является мировым лидером в компьютерной памяти.
