В справочной документации по полевым транзисторам MOSFET в символическом обозначении транзистора часто встречается символ диода, включенного параллельно цепи «сток—исток»
На графическом обозначении транзистора иногда рисуют вместо обычного диода диод Зенера. Если бы напряжение пробоя этого зенера лежало ниже напряжения пробоя канала, он мог бы шунтировать ток и напряжение самоиндукции тем самым защищая канал от разрушения.
В подавляющем большинстве случаев в силовых преобразовательных схемах существует необходимость шунтирования транзисторов быстрыми диодами.
Но, к сожалению, в данном случае появление диода связано с технологией изготовления мощных «полевиков». Почему — к сожалению? Потому, что характеристики этого паразитного диода, называемого integral reverse p-njunction diode (интегральный обратный диод р-п-перехода), применительно к использованию в схемах преобразовательных устройств оставляют желать лучшего.
Другими словами, встроенный диод оказывается слишком медленным, поэтому приходится затрачивать дополнительную энергию на его закрывание, что ведет к нагреву транзистора в целом. Технология изготовления МОП транзисторов такова, что образуются некоторые паразитные элементы, в частности биполярный транзистор, включенный параллельно силовым выводам.
Он оказывает негативное влияние на характеристики транзистора, поэтому технологической перемычкой замыкают вывод истока с подложкой (замыкают переход: база-эмиттер, паразитного транзистора), а оставшийся переход: коллектор-база, образует диод, включенный параллельно стоку-истоку, в направлении обратном протеканию тока (в классической схеме включения).
Параметры этого диода производители уже могут контролировать, поэтому он не оказывает существенного влияния на работу транзистора. И даже наоборот, его наличие специально используется в некоторых схематических решениях.
Именно этот диод (стабилитрон) обозначается на схематическом изображении МОП транзистора, а технологическая перемычка показана стрелкой соединенной с истоком.
Существуют и транзисторы без технологической перемычки.
Ведущие мировые производители элементной базы постоянно ведут небезуспешную борьбу за улучшение характеристик быстродействия обратных диодов, и их влияние становится все менее заметным, однако подавляющее большинство выпускаемых на сегодняшний момент полевых транзисторов все еще имеют паразитные диоды с достаточно большим временем обратного восстановления.
Кстати, на самом деле встроенный диод получается из технологического биполярного транзистора, включенного параллельно силовым электродам полезного полевого транзистора.
#ЗачемДиодвПолевике
