ТТМ

В статье представлен метод изготовления гребневых (ridge) волноводов на тонкоплёночном ниобате лития (TFLN) толщиной 700 нм с использованием реактивного ионного травления с индуктивной связью (ICP-RIE) в аргоновой плазме. Основное преимущество подхода — отсутствие фторсодержащих газов, что исключает образование фторида лития (LiF) и обеспечивает гладкие боковые стенки структур. Технологический процесс включает три ключевых этапа: формирование маски из фоторезиста, аргоновое травление и завершающую мокрую очистку для удаления переосаждённого материала...

Примерно раз в пару десятилетий как по расписанию возникает крупный кризис в полупроводниковой отрасли. Как правило, некоторые признаки происхождения кризиса могли быть заранее предугаданы теми, кто за ними внимательно следил, поскольку слабые места и уязвимости технической или экономической цепочки поставок полупроводников обычно довольно очевидны. Тем не менее, человеку свойственно откладывать решение проблемы, пока она не проявит себя. В трудные времена вмешательство государства является критически...

Сборка и корпусирование интегральных схем (ИС) является ключевым этапом в процессе производства микросхем. Полупроводниковые кристаллы (собственно ИС) должны быть собраны в функциональных корпусах, которые защищают от воздействий окружающей среды, рассеивают тепло, имеют электрические контакты (вводы/выводы) и зачастую дополнительные функции, такие как формирование сигнала или передача электроэнергии. 2,5D/3D-сборки уже показали свой потенциал в вычислительной технике и позволили заменить транзисторное...

Китайские ученые создали первый в мире полностью гибридно-интегрированный микроволновый осциллятор на основе микрогребня (microcomb), который объединяет лазер, микрорезонатор и фотодетектор на одном чипе, описано в данной статье. Это компактное устройство генерирует микроволновый сигнал с рекордно низким уровнем шума и исключительной стабильностью. Данная технология открывает новые возможности для коммуникаций, радаров, систем точного времени и измерений. Низкошумные микроволновые осцилляторы являются...

Улучшенное контактное сопротивление и выходная мощность — ключ к созданию мобильных E-mode GaN-транзисторов на кремнии. Бельгийский научный центр Imec сообщил о важном достижении в разработке радиочастотных транзисторов, созданных с использованием технологии нитрида галлия на кремниевой подложке. Эти новые компоненты показывают наивысшие характеристики по мощности, линейности и энергопотреблению, что выдвигает их в число перспективных решений для будущих сетей мобильной связи 6G. ЛЁВЕН (Бельгия),...