ТТМ

В данной статье представлен обзор и сравнение распространенных методов химического осаждения из паровой фазы (CVD — Chemical Vapor Deposition), применяемых в полупроводниковых технологиях и микроэлектромеханических системах (МЭМС). Рассмотрены методы осаждения тонких пленок диоксида кремния (SiO2), нитрида кремния (SiNₓ), аморфного кремния (Si), оксинитрида кремния (SixNy), карбида кремния (SiC) и алмазоподобного углерода (DLC — Diamond-Like Carbon) с использованием CVD при пониженном давлении (LPCVD...

В связи с активным ростом рынка силовых компонентов в течение последних двадцати с лишним лет возросла и потребность в микросхемах на базе карбида кремния (SiC). Сильные стороны SiС – широкая запрещенная зона и большая теплопроводность. Технологический цикл производства от пластины до конечного продукта включает в себя ряд ключевых этапов: рост монокристалла, резку на пластины, утонение, полировку, эпитаксию, ионную имплантацию, термообработку и др. В настоящей работе подробно рассматриваются первые...

Аннотация. В условиях глобального дефицита мощностей микроэлектронной промышленности и перехода к трёхмерной архитектуре приборов метод химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении (LPCVD) в диффузионных печах сохраняет ключевые позиции в производстве поликристаллического кремния и диэлектрических слоёв. Статья анализирует текущее состояние технологии, её конкурентные преимущества перед альтернативными методами, проблемные области и направления инвестиций для производителей микроэлектроники...

В статье представлен метод изготовления гребневых (ridge) волноводов на тонкоплёночном ниобате лития (TFLN) толщиной 700 нм с использованием реактивного ионного травления с индуктивной связью (ICP-RIE) в аргоновой плазме. Основное преимущество подхода — отсутствие фторсодержащих газов, что исключает образование фторида лития (LiF) и обеспечивает гладкие боковые стенки структур. Технологический процесс включает три ключевых этапа: формирование маски из фоторезиста, аргоновое травление и завершающую мокрую очистку для удаления переосаждённого материала...

Примерно раз в пару десятилетий как по расписанию возникает крупный кризис в полупроводниковой отрасли. Как правило, некоторые признаки происхождения кризиса могли быть заранее предугаданы теми, кто за ними внимательно следил, поскольку слабые места и уязвимости технической или экономической цепочки поставок полупроводников обычно довольно очевидны. Тем не менее, человеку свойственно откладывать решение проблемы, пока она не проявит себя. В трудные времена вмешательство государства является критически...