ТТМ

В условиях исчерпания возможностей традиционного масштабирования и взрывного роста требований к производительности систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений (HPC), технология сквозных кремниевых отверстий (Through-Silicon Via, TSV) стала фундаментальной основой для 2.5D и 3D интеграции. Данная статья анализирует текущее состояние технологии TSV, её конкурентные преимущества, рыночную динамику, ключевые производственные вызовы и стратегии развития для производителей электроники...

В статье исследуется, как толщина тонких медных плёнок (54–853 нм), полученных магнетронным распылением (PVD), влияет на их структуру и свойства. Установлено три стадии роста: при толщине до 200 нм формируются отдельные островки, а выше 600 нм начинается активный рост кристаллитов, при этом шероховатость линейно растёт во всём диапазоне. Удельное сопротивление резко падает до 2 мкОм·см при толщине 400 нм, после чего почти не меняется, а коэффициент отражения на границах зёрен оценён в 0,6 на основе модели Фукса-Сондхеймера и Маядаса-Шацкеса...

В данной статье представлен обзор и сравнение распространенных методов химического осаждения из паровой фазы (CVD — Chemical Vapor Deposition), применяемых в полупроводниковых технологиях и микроэлектромеханических системах (МЭМС). Рассмотрены методы осаждения тонких пленок диоксида кремния (SiO2), нитрида кремния (SiNₓ), аморфного кремния (Si), оксинитрида кремния (SixNy), карбида кремния (SiC) и алмазоподобного углерода (DLC — Diamond-Like Carbon) с использованием CVD при пониженном давлении (LPCVD...

В связи с активным ростом рынка силовых компонентов в течение последних двадцати с лишним лет возросла и потребность в микросхемах на базе карбида кремния (SiC). Сильные стороны SiС – широкая запрещенная зона и большая теплопроводность. Технологический цикл производства от пластины до конечного продукта включает в себя ряд ключевых этапов: рост монокристалла, резку на пластины, утонение, полировку, эпитаксию, ионную имплантацию, термообработку и др. В настоящей работе подробно рассматриваются первые...

Аннотация. В условиях глобального дефицита мощностей микроэлектронной промышленности и перехода к трёхмерной архитектуре приборов метод химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении (LPCVD) в диффузионных печах сохраняет ключевые позиции в производстве поликристаллического кремния и диэлектрических слоёв. Статья анализирует текущее состояние технологии, её конкурентные преимущества перед альтернативными методами, проблемные области и направления инвестиций для производителей микроэлектроники...