В условиях исчерпания возможностей традиционного масштабирования и взрывного роста требований к производительности систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений (HPC), технология сквозных кремниевых отверстий (Through-Silicon Via, TSV) стала фундаментальной основой для 2.5D и 3D интеграции. Данная статья анализирует текущее состояние технологии TSV, её конкурентные преимущества, рыночную динамику, ключевые производственные вызовы и стратегии развития для производителей электроники...

С развитием микро- и наноэлектроники требования к точности формирования топологических структур постоянно возрастают. Плазмохимическое травление (реактивное ионное травление, РИЭ) остается ключевым методом переноса рисунка в субмикронных технологических процессах. Выбор газа-реагента критически влияет на селективность, анизотропию и степень повреждения обрабатываемой поверхности. В последние десятилетия значительное внимание исследователей привлекает дифторметан (CH₂F₂) как альтернатива традиционным фторсодержащим газам (CF₄, CHF₃, C₄F₈)...