Исследователи из Стэнфорда нашли способ буквально «охладить кремний алмазом». Вместо привычных систем охлаждения они предложили выращивать тонкий алмазный слой прямо на чипе. Это позволило снизить рабочую температуру каналов полупроводников на 70 °C.
Главное в разработке — то, что теперь алмаз можно формировать при 400 °C, тогда как раньше требовалось больше тысячи. Такая температура разрушала бы электронику, поэтому технология считалась невозможной. Решение нашли благодаря добавлению кислорода в процесс — он предотвращает образование сажи и улучшает теплопроводность.
Алмаз рассеивает тепло в шесть раз эффективнее меди, и особенно хорошо работает в многослойных 3D-чипах. Сейчас технология тестируется на транзисторах из нитрида галлия с карбидом кремния. Проект поддерживает DARPA, а к сотрудничеству подключились TSMC, Micron и Samsung. Первые коммерческие образцы ожидаются к 2027 году.
