Учёные из Тайваня и США разработали новую версию магниторезистивной памяти. Созданная ими SOT-MRAM память совместима с существующими методами производства полупроводников, а также имеет скорость переключения 1 нс и срок хранения данных более 10 лет.
Ключевым достижением стало применение β-вольфрама для генерации спиновых токов. Также учёные добавили кобальт, что повысило термостойкость такой памяти: теперь она выдерживает температуры до 400 °C в течение десяти часов и до 700 °C в течение получаса.
По результатам тестов 64-килобитного массива SOT-MRAM, скорость переключения была равна около одной наносекунды, что сопоставимо с SRAM. Для справки: у DDR5 задержка составляет около 14 нс.
При этом такая память сохраняет данные более десяти лет и обладает низким энергопотреблением, что делает её перспективной для применения в центрах обработки данных и в устройствах, где требуется высокая скорость и энергонезависимость.
