В России были созданы первые фотодиоды, работающие в ближнем инфракрасном диапазоне. Эти устройства были разработаны учёными из Алфёровского университета, АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД».
Эти фотодиоды могут стать основой для создания более совершенных приборов ночного видения и высокочувствительных газовых сенсоров. Для создания экспериментальных устройств был оптимизирован состав полупроводникового материала — арсенида индия-галлия (InGaAs). Также была разработана технология, позволяющая создавать кристаллы InGaAs с высоким содержанием индия.
Новые датчики могут использоваться в системах ночного видения и для экологического мониторинга. Благодаря расширенному диапазону чувствительности приборы смогут получать более детализированное изображение.
Разработка открывает перспективы для создания высокочувствительных газовых сенсоров, которые могут использоваться для контроля выбросов и решения экологических проблем.
«Мы разработали технологию, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам», — рассказал Максим Соболев, заведующий лабораторией перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники Алфёровского университета.