Компания Rambus представила новый контроллер памяти HBM4, который обещает революционные улучшения в скорости и пропускной способности по сравнению с предыдущими моделями HBM3 и HBM3E. Этот контроллер ориентирован на потребности искусственного интеллекта и центров обработки данных и обеспечивает скорость до 10 Гбит/с при начальной пропускной способности 2,56 Гбит/с.
По сравнению с HBM3E, HBM4 обладает большей пропускной способностью при использовании того же 16-канального стека и конфигурации с максимальной емкостью 64 ГБ. Начальная пропускная способность составляет 1638 Гбит/с, что на 33% больше, чем у HBM3E, и в два раза больше, чем у оригинального стандарта HBM3.
Кроме того, контроллер HBM4 оснащен дополнительными функциями, такими как коррекция ошибок (ECC), механизмы коррекции ошибок (RMW) и очистка от ошибок, что делает его более надежным и эффективным. Это решение может стать ключевым для развития индустрии искусственного интеллекта и центров обработки данных, где требуется высокопроизводительная и надежная память.
Ожидается, что память HBM4 поступит в продажу в этом месяце, а массовое производство Samsung планирует начать к концу 2025 года. Также сообщалось, что в 2026 году NVIDIA выпустит свои графические процессоры Rubin, которые будут использовать технологию HBM4, а AMD рассматривает возможность использования этого типа памяти в своих продуктах.
]]>
