Инженеры из Массачусетского технологического института (США) создали новый тип транзистора на базе нитрида бора. По их словам, он обладает многообещающими свойствами, например, на переключение между отрицательным и положительным зарядами ему требуется всего несколько наносекунд. А еще его работоспособность сохраняется на протяжении 100 миллиардов циклов. Технические характеристики изложены 6 июня в статье для журнала Science.
Для переключения поляризации в транзисторах требуется напряжение. Чем толще слой материала, тем больше требуется энергии для этого процесса. В новом устройстве нитрид бора уложен сверхтонкими слоями, которым требуется минимальный заряд, и поэтому транзистор идеально подходит для энергоэффективных электронных устройств.
По словам разработчиков, этот транзистор способен изменить мир электроники в течение следующих двух десятилетий, так как свойства его материала «уже соответствуют или превосходят отраслевые стандарты».
Нитрид бора — это «сегнетоэлектрический» материал, то есть он может переключаться между положительными и отрицательными зарядами при воздействии электрического тока, причем делает это за миллиардные доли секунды. Также, по словам разработчиком, электронные свойства материала меняются, не изнашивая его.
Сейчас исследователи планируют запустить сегнетоэлектрики в производство, но пока сталкиваются с рядом трудностей. Такое производство требует ряд сложных технологических операций и придется приложить много усилий, чтобы начать их массовый выпуск.
