В связи с напряжённой обстановкой между Китаем и США в области высоких технологий, в частности полупроводниковой отрасли, правительство КНР предпринимает усилия по дальнейшей минимизации зависимости от Запада в данной сфере — для этого был создан третий инвестиционный фонд с участием ряда китайских финансовых организаций, в том числе государственных, говорится в публикации издания Reuters.
Источник фото: Pixabay
Сообщается, что согласно программе по стимулированию китайских производителей микроэлектроники в Китае создаётся третий по счёту фонд с уставным капиталом около 344 млрд юаней, что эквивалентно $47,5 млрд, являющийся самым крупным финансовым вливанием в полупроводниковую промышленность КНР — на первом этапе, стартовавшем в 2014 году, было инвестировано 138,7 млрд юаней, а вторая фаза предусматривала создание фонда с уставным капиталом в 204 млрд юаней.
Крупнейшими акционерами нового фонда стали Министерство финансов Китая и China Development Bank Capital с долями в 17 и 10,5% соответственно. Дополнительно в список акционеров входят ещё семнадцать китайских организаций и компаний, в том числе пять крупных банков.
К настоящему времени известно, что финансирование в ходе реализации данной программы получил целый ряд китайских производителей микроэлектроники, в частности два завода по производству микросхем, а именно Semiconductor Manufacturing International и Hua Hong Semiconductor, а также производитель памяти Yangtze Memory Technologie.
Третья фаза предусматривает, прежде всего, стимулирование сектора производства, отвечающего за оборудование, необходимое для выпуска чипов.
США активно препятствуют развитию Китая в области высоких технологий и создания конкурентоспособных полупроводниковых продуктов, за последние несколько лет реализовав ряд заградительных мер, призванных ограничить поставки в КНР высокотехнологичного оборудования и чипов, поэтому Китай активно работает над устранением зависимости от Запада в данной сфере.
