Уважаемые коллеги, доброго времени суток! Представляем вам китайское научное издание Chinese Journal of Luminescence. Журнал имеет четвёртый квартиль, издаётся в Chines Academy of Sciences, его SJR за 2022 г. равен 0,197, печатный ISSN - 1000-7032, электронный - 2097-3195, предметные области - Радиация, Физика конденсированных сред, Электронные оптические и магнитные материалы. Вот так выглядит обложка:
Редактором является Фенгуи Чианг, контактные данные - jiangfengyi@ciomp.ac.cn, fgxbt@126.com.
Журнал стремится продвигать исследования по всем аспектам люминесценции и оптоэлектроники, включая фундаментальные, прикладные и инженерные исследования и приложения. В первую очередь публикуются новые результаты исследований по передовым и появляющимся темам в оптике и фотонике, а также освещать традиционные темы в оптической инженерии. Журнал будет публиковать оригинальные статьи и обзоры, которые отличаются высоким качеством, большим интересом и далеко идущими последствиями. Темы, представляющие особый интерес в рамках журнала, включают, но не ограничиваются:
- Фотолюминесценция, электролюминесценция и катодолюминесценция неорганических, органических и биологических материалов и их применение;
- Свойства и области применения полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной, материалов с квантовыми ямами, фотонно-кристаллических материалов и других новых фотоэлектрических материалов;
- Исследование и применение нанотехнологий и наноматериалов;
- Синтез, свойства и применение редкоземельных органических и неорганических материалов;
- Проект солнечных батарей и зеленого освещения;
- Излучение абсолютно черного тела, обнаружение частиц и лучей высокой энергии, защита от радиации;
- Спектральный анализ взаимодействия света и вещества;
- Лазерный материал, компактный коротковолновый лазер;
- Многофотонный процесс, люминесцентный центр, дефект, динамика возбужденного состояния, оптические запоминающие материалы и устройства;
- Интегрированная оптика, лазерная спектроскопия, квантовая электродинамика резонатора и нелинейная оптика; фотометрия и цветность;
- Другие соответствующие сквозные области.
Адрес издания - https://cjl.lightpublishing.cn/homeNav?lang=en
Пример статьи, название - Quantum-dot Light-emitting Diodes Based on MoO3/ZnO Inorganic Charge-generation Layer. Заголовок (Abstract) - Zinc oxide（ZnO） is commonly used in high-performance quantum dot light-emitting diodes（QLEDs） as electron-transport layers due to its excellent electrical properties. However， due to high electron mobility of the ZnO layer， excessive electrons are injected into the device， which leads to imbalanced charge carriers inside the devices and low efficiency. In addition， the contact between ZnO and the electrode is easily affected by the external environment （water and oxygen）， particularly for the inverted QLEDs， which dramatically affects the storage stability of devices. To solve the above problems， we use MoO3/ZnO as charge-generation layer （CGL） to prepare inverted QLEDs. This structure reduces carrier imbalance and increases the maximum current efficiency of the device from 12.8 cd/A to 15.7 cd/A. In addition， the influence of cathodes on the device performance is highly reduced in the CGL based QLEDs because the electrons are generated in the CGL， rather than being injected from the cathode. As a result， the storage stability of devices is greatly improved.
Keywords: charge-generation layer; charge storage; overshoot; transient electroluminescence
