Уважаемые коллеги, доброго времени суток! Представляем вам немецкое научное издание Optoelectronics Letters. Журнал имеет четвёртый квартиль, издаётся в Springer Verlag, его SJR за 2022 г. равен 0,227, пятилетний импакт-фактор 0,7, печатный ISSN - 1673-1905, электронный - 1993-5013, предметные области - Физика конденсированных сред, Оптика, Физика, Атомная, молекулярная физика и оптика, Электронные оптические и магнитные материалы, Электротехническая и электронная промышленность. Вот так выглядит обложка:
Редактором является Шенг-юнг Чен, контактные данные - ydzheng@nju.edu.cn.
Дополнительные публикационные контакты - patricia.hofrichter@springer.com, journalpermissions@springernature.com, xiu.chen@springernature.com.
Целью журнала является содействие международному академическому обмену в области фотоники и оптоэлектроники в Китае и за рубежом посредством оперативного освещения новых и важных экспериментальных результатов. Этот журнал станет важным окном в китайскую науку и технику в области фотоники/оптоэлектроники. Тематика охватывает новые функциональные материалы и устройства, микро–наноструктуры и квантовую оптоэлектронику, информационные технологии в оптоэлектронике, зондирование, измерения и контроль, хранение и отображение; обработку изображений и информации.
Адрес издания - https://www.springer.com/journal/11801
Пример статьи, название - Mid-wavelength InAs/GaSb type-II superlattice barrier detector with nBn design and M barrier. Заголовок (Abstract) - This study reports the performance of an InAs/GaSb type-II superlattices (T2SLs) detector with nBn structure for mid-wavelength infrared (MWIR) detection. An electronic band structure of M barrier is calculated using 8-band k·p method, and the nBn structure is designed with the M barrier. The detector is prepared by wet etching, which is simple in manufacturing process. X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscope (AFM) characteristics indicate that the detector material has good crystal quality and surface morphology. The saturation bias of the spectral response measurements at 77 K is 300 mV, and the device is promising to work at a temperature of 140 K. Energy gap of T2SLs versus temperature is fitted by the Varshni curve, and zero temperature bandgap Eg(0), empirical coefficients α and β are extracted. A dark current density of 3.2×10−5 A/cm2 and differential resistance area (RA) product of 1.0×104 Ω·cm2 are measured at 77 K. The dominant mechanism of dark current at different temperature ranges is analyzed. The device with a 50% cutoff wavelength of 4.68 µm exhibits a responsivity of 0.6 A/W, a topside illuminated quantum efficiency of 20% without antireflection coating (ARC), and a detectivity of 9.17×1011 cm·Hz1/2/W at 77 K and 0.3 V.
