Уважаемые коллеги, доброго времени суток! Представляем вам нидерландское научное издание Microelectronics Journal. Журнал имеет третий квартиль, издаётся в Elsevier BV, его SJR за 2023 г. равен 0,414, импакт-фактор 2,2, электронный ISSN - 0959-8324, предметные области - Атомная, молекулярная физика и оптика, Физика конденсированных сред, Электронные оптические и магнитные материалы, Поверхности, покрытия и пленки, Электротехническая и электронная промышленность. Вот так выглядит обложка:
Редактором является Чжангминг Чжу, контактные данные - zmyh@263.net.
Издаваемый с 1969 года журнал "Микроэлектроника" является международным форумом для распространения результатов исследований и применения микроэлектронных систем, схем и новых технологий. Статьи, опубликованные в журнале Microelectronics Journal, прошли экспертную оценку для обеспечения оригинальности, актуальности и своевременности. Таким образом, журнал предоставляет всемирную, регулярную и всестороннюю информацию о микроэлектронных схемах и системах. Журнал "Микроэлектроника" приглашает к публикации статьи, описывающие важные исследования и приложения во всех перечисленных ниже областях. Также будут рассмотрены всеобъемлющие обзорные статьи, освещающие последние разработки. Журнал "Микроэлектроника" освещает схемы и системы. Этот раздел включает, но не ограничивается:
- Аналоговые, цифровые, смешанные и радиочастотные схемы и связанные с ними методологии проектирования;
- Логический, архитектурный и системный синтез;
- Тестирование, проектирование на предмет тестируемости, встроенное самотестирование;
- Анализ площади, мощности и теплового режима и проектирование;
- Моделирование в смешанной области и проектирование;
- Встраиваемые системы;
- Вычисления, отличные от фон неймановских, и связанные с ними технологии и схемы;
- Проектирование и тестирование интеграции систем высокой сложности;
- Проектирование и тестирование SoC, NoC, SIP и NIP; проектирование и анализ трехмерной интеграции;
- Новые технологии устройств и схемы, такие как FinFETs, SETs, spintronics, SFQ, MTJ и т.д.
Также приветствуются прикладные аспекты, такие как обработка сигналов и изображений, включая схемы для криптографии, датчики и исполнительные механизмы, включая сенсорные сети, вопросы надежности и качества, а также экономические модели.
Адрес издания - https://www.sciencedirect.com/journal/microelectronics-journal
Пример статьи, название - Performance analysis of geometric variations in circular double gate MOSFETs at sub-7nm technology nodes. Заголовок (Abstract) - Circular Double Gate Transistors (CDGTs) is one of the alternative layout-based solutions to mitigate the short-channel effects with superior electrostatic controllability. In this article, TCAD based analysis of the CDGT at the 7 nm node for low-power (LP) applications is carried out and extracted electrical characteristics. The proposed CDGT device offers outstanding performance with ON current of 5.5 × 10−4 Amps, an OFF current of 5.9 × 10−12 Amps, and a corresponding switching ratio of 9.3 × 107 at 300 K. Furthermore, this study examined the performance of CDGT on device geometry by scaling of the gate length from 20 nm to 12 nm and Si thickness variation in the range of 5 nm–8 nm. Additionally, the influence of temperature variation is also studied on CDGT and extracted the temperature compensation point (TCP). Moreover, this simulation illustrates the use of CDGT devices for high switching applications with excellent ON current for lower sub 7 nm technology nodes.