Южнокорейская компания объявила о разработке первых в индустрии модулей памяти DRAM DDR5 ёмкостью 32 ГБ, основанных на 12-нм техпроцессе. С учётом удвоенного объёма в сравнении с 16-гигабайтными чипами это позволяет создавать планки оперативной памяти на 128 ГБ.
До сих пор SK hynix и Micron предлагали чипы DRAM DDR5 ёмкостью до 24 ГБ, что позволяло делать планки на 96 ГБ. Новая разработка Samsung увеличивает этот предел на 33% при тех же физических размерах. Южнокорейская компания также отметила, что с 1983 года, когда она выпустила свой первый чип на 64 КБ, ёмкость DRAM увеличилась в колоссальные 500 000 раз.
Указывается, что ранее для производства модулей DRAM DDR5 на 128 ГБ с использованием чипов по 16 ГБ требовался процесс Through Silicon Via (TSV), но с новым решением от Samsung в нём больше нет необходимости, благодаря чему энергопотребление таких планок оперативной памяти снижается примерно на 10%. Более того, компания заявляет, что разработка открывает путь к созданию модулей DRAM ёмкостью до 1 ТБ.
Массовое производство новых чипов DDR5 DRAM объёмом 32 ГБ стартует в конце этого года.
