Стоит начать с базовых параметров дальше которых большинство пользователей в найстройки не полезет.
ХМР профиль - это настройка частоты и таймингов зашитая производителем. Стоит знать что далеко не каждый процессор будет поддерживать XMP профиль в следствии удачности своего контроллера оперативной памяти, также не каждая материнская плата поддерживает высокие частоты вашей ОЗУ. БИОСы материнских плат также бывают разные, для примера Gigabite B450M K не имеет турбобуста процессора и частоты приходится выставлять вручную, также данная плата крайне странно запускает XMP профиль ОЗУ.
Далее речь пойдет о самой актуальной на данный момент ОЗУ DDR4. На данный момент частоты начинаются от 3200 Mhz с абсолютно разными таймингами. Тайминги это скорость работы вашей ОЗУ, частота это ее пропускная способность, из чего следует что чем выше частота и ниже тайминги тем производительнее будет ваш ПК и выше FPS.
Немного информации про Кеш процессора, чем меньше его Кеш тем более он зависим от оперативной памяти, т.к когда у процессора забивается Кеш он начинает подъедать ОЗУ.
Comand Rate - отрезок времени с момента активации чипа памяти (прихода сигнала на вывод CS – Chip Select [выбор чипа]) до того как чип сможет принять какую-нибудь команду. Этот параметр обозначается буквой “T” и может принимать значения 1Т или 2T – 1 тактовый цикл или 2 тактовых цикла, соответственно. Если проще один из основных параметров влияющих на скорость работы ваше ОЗУ, стоит заметить что ОЗУ с посредственными чипами памяти при CR1 может просто не работать.
Выбор ОЗУ не стоит рассматривать на основании ее бренда, как правило там прописан исключительно ее XMP профиль и тайминги. Если вы не будете заниматься ручной настройкой ОЗУ вам стоит выбрать XMP 3200 Cl 16-20-20-38(40) либо XMP 3600 Сl 16-20-20-38(40).
Проверить настройки ОЗУ можно в AIDA64 либо OCCT, также в тесте AIDA64 есть параметр Latency, чем она ниже тем быстрее ваша система.
Далее пойдет информация для тонкой ручной настройки. Общие параметры первичных таймингов ОЗУ:
CAS Latency (tCL) — главный тайминг в работе памяти. Указывает время между командой на чтение/запись информации и началом ее выполнения.
RAS to CAS Delay (tRCD) — время активации строки.
Row Precharge Time (tRP) — прежде чем перейти к следующей строке в этом же банке, предыдущую необходимо зарядить и закрыть. Тайминг обозначает время, за которое контроллер должен это сделать.
Row Active Time (tRAS) — минимальное время, которое дается контроллеру для работы со строкой (время, в течение которого она может быть открыта для чтения или записи), после чего она закроется.
Command Rate (CR) — время до активации новой строки.
Первое с чего нужно начать это частота вашей ОЗУ, выставляем данный параметр на условные 3200 MHz тайминги оставляем auto -> Save and Exit -> смотрим результат запуска системы, при нормальной загрузке системы возвращаемся обратно в Bios для дальнейших манипуляций. Далее выставляем параметр Сas Latency (tCL) на 16 -> Save and Exit -> при нормальном запуске системы продолжаем дальше. Параметры tRCD tRP ставим 18, параметр tRAS высчитывается как tRCD+tRP выставляем 36. tRCD может быть разбит на два параметра tRCDRD он же чтение и tRCDWR он же запись, cоответственно ставим одинаковое значение в нашем случае 18, cохраняем настройки. Если вас устраивают параметры можно переходить к тестам, если система не запускается выставляем все параметры таймингов на 2 выше, tRAS также считаем по формуле.
Первый тест проводим в OCCT на ошибки и стабильность работы если ошибок нет запускаем AIDA64 на тест Latency. При Latency ниже 80 настройка ОЗУ под ваш процессор прошла успешно.
Также хочу отметить что если у вас есть возможность узнать какие чипы памяти стоят в вашей ОЗУ стоит обратить внимание на Samsung B-Die которые могут брать частоту 4000 MHz при таймингах 16-18-18-36 (есть возможность разгона выше 4000 MHz) либо более дешевые Micron E-Die которые могут брать частоты 3800 MHz при таймингах 18-20-20-40.