Компания Cambridge GaN Devices из Массачусетса разработала электронные силовые ключи ICeGaN на основе нитрида галлия, которыми можно управлять точно так же, как старыми добрыми кремниевыми МОП-транзисторами. Для этого в ключ встроен специальный преобразователь, питаемый напряжением 9-20 В относительно истока.
Необходимости подавать отрицательное запирающее напряжение в ICeGaN нет, так что схемы управления прибором упрощаются. Порог включения равен 3 В. Также нет необходимости предохранять затвор от напряжений выше 7 В, при которых GaN-транзисторы обычно быстро деградируют. Максимальное напряжение на управляющем входе +20 В.
Разработчик также предусмотрел токовый датчик, что позволяет построить надёжные системы защиты импульсных преобразователей.
________________________________
Спасибо за ваши комментарии и лайки. Нам важно, что вы нас читаете.
