Исследователи из Московского физико-технического института, работающие над изучением свойств двухслойного графена, определился возможный способ создания нового типа электронных устройств, сообщает агентство «РИА Новости».
В частности, имеются в виду высокоскоростные энергоэффективные переключатели, химические и биологические датчики, а также детекторы излучения, создать которые на обычных полупроводниках невозможно.
В основе всей современной полупроводниковой электроники заложен называемый p-n переход — то есть область контакта между двумя полупроводниками с разным типом проводимости. В мире электронов этот переход является энергетическим барьером. А вот наличие ступенчатого барьера для электронов в p-n переходе позволяет определить его основную функцию в электронике – односторонний переход тока при одной полярности приложенного напряжения.
Российские же учены выявили высокую электронную подвижность в графене, что может создать еще более быстрые полупроводниковые приборы, сообщил завлабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ Дмитрий Свинцов.
В результате обнаруженный эффект может быть внедрен в цифровую электронику, в том числе выступать в роли чувствительного химического и биологического сенсора.
Напомним, что ранее шведские ученые смогли создать технология бесшумных винтов электросамолётов
