Samsung совершенствует свой ассортимент GDDR6 с помощью нового модуля, способного обеспечивать скорость передачи данных 24 Гбит / с на вывод. Это в основном предназначено для высокопроизводительных видеокарт и ускорителей искусственного интеллекта, но компания также будет создавать маломощные варианты для других приложений.
Сегодня Samsung анонсировала первую в отрасли оперативную память GDDR6 емкостью 24 Гбит/с, которая будет использоваться для видеокарт следующего поколения от Nvidia и AMD, а также ноутбуков, игровых консолей и ускорителей искусственного интеллекта для центров обработки данных.
Корейский технологический гигант заявляет, что уже начал пробовать новые чипы памяти емкостью 16 Гб, и говорит, что его клиенты начнут проверочные тесты где-то в конце этого месяца. Кроме того, коммерческая доступность будет согласована с предстоящими запусками графических процессоров, так что пройдет совсем немного времени, прежде чем мы увидим GDDR6 24 Гбит / с в поставляемых продуктах.
Одним из очевидных преимуществ этого нового модуля GDDR6 является то, что он может обеспечить на 30 процентов более высокую скорость по сравнению с предыдущим модулем Samsung 18 Гбит /с. Другими словами, полностью оснащенная видеокарта премиум—класса сможет обеспечить пропускную способность памяти до 1,1 Тбит/с, что эквивалентно передаче 275 фильмов с разрешением 1080p за одну секунду.
В отличие от GDDR6X, который был разработан компанией Micron в сотрудничестве с Nvidia, новый GDDR6 DRAM от Samsung полностью соответствует спецификациям JEDEC. Также ожидается, что он будет менее энергоемким благодаря использованию технологии металлических ворот с высоким k. Это также означает, что он будет работать холоднее, чем GDDR6X, обеспечивая при этом лучшую производительность и будучи дешевле в производстве.
Говоря о производстве, Samsung выпускает новую линейку GDDR6 на 10-нм (1z) технологическом узле. И хотя новая технология в основном ориентирована на графические процессоры и ускорители искусственного интеллекта, она также будет выпускать варианты со скоростью 20 Гбит / с и 16 Гбит / с для приложений с низким энергопотреблением. С этой целью Samsung также использует технологию динамической коммутации напряжения, которая может регулироваться в диапазоне от 1,1 В до 1,35 В, чтобы при необходимости повысить энергоэффективность на 20%.
Стоит отметить, что Samsung считает, что рынок высокопроизводительной графики в ближайшие годы будет демонстрировать здоровый двузначный рост. Компания хочет получить значительный кусок от этого все более крупного пирога, поэтому она прилагает все возможные усилия, чтобы обогнать TSMC в гонке за разработку передовых технологий производства чипов.
В прошлом месяце компания начала производство чипов по 3-нм техпроцессу на своих заводах в Хвасоне. Будет ли этого достаточно, чтобы заинтересовать такие компании, как Nvidia, еще предстоит выяснить, но Samsung остается мировым лидером в области DRAM с долей рынка почти 44 процента.
