Южнокорейская компания объявила о начале массового производства передовых микрочипов по технологии 3 нм раньше своего основного конкурента из Тайваня — TSMC. Такие чипы предназначаются в первую очередь для высокопроизводительных вычислений с низким потреблением энергии, а в дальнейшем планируется использовать их и в мобильных процессорах.
В новой технологии используется архитектура транзисторов с окружающим затвором, которую в Samsung называют Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Более широкие каналы для электричества в затворах снижают уровень напряжения по сравнению с предыдущей архитектурой транзисторов FinFET. Каналы окружены затворами со всех четырех сторон, что позволяет пропускать через затворы больше тока возбуждения, чем в FinFET.
По сравнению с 5-нанометровым техпроцессом, 3 нм сокращает расход энергии на 45% и повышает производительность на 23%. Площадь поверхности уменьшается на 16%. Кроме того, 3-нм процесс обеспечивает более гибкий дизайн, при котором возможно подгонять ширину канала под требования заказчика.
Основной конкурент Samsung — тайваньский производитель полупроводников TSMC — тоже готовится начать выпуск 3-нм продукции. Но не раньше второго полугодия 2022-го.
