Глубокоуважаемый Александр Сергеевич!
Примите самые искренние и сердечные поздравления от коллектива РТУ МИРЭА с Днём рождения!
Во многом благодаря Вашему опыту, компетентности и энергии, наш Университет динамично развивается и приумножает свои славные традиции.
Неоценим Ваш вклад исследование и внедрение в отечественную промышленность нового класса диэлектрических материалов для формирования диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем. Под Вашим руководством было создано новое направление – активные диэлектрики для электронно-компонентной базы, разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства микроэлектромеханические системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотоники, ведутся фундаментальные исследования свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков, изучаются процессы самоорганизации в упорядоченных структурах для перспективных устройств наноэлектроники.
Благодаря Вам в РТУ МИРЭА осуществляется активная поддержка молодых ученых, активно развивается научно-исследовательская инфраструктура и сохраняется лидерская позиция Университета в российских и международных рейтингах.
В день Вашего рождения желаем Вам крепкого здоровья, воплощения в жизнь всех задуманных планов и начинаний, поддержки коллег, энергии и оптимизма, дальнейших достижений на поприще научной и педагогической деятельности!
Александр Сергеевич Сигов (р. 31 мая 1945 года) – советский и российский учёный, почетный профессор и доктор ряда отечественных и зарубежных университетов и научных центров, заслуженный деятель науки России, академик РАН, президент РТУ МИРЭА.
Член бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, член научного совета при Совете Безопасности Российской Федерации, председатель Секции физики сегнетоэлектриков и диэлектриков, член бюро Объединенного Научного совета РАН по физике конденсированных сред, член бюро совета «Научные основы построения вычислительных, телекоммуникационных и локационных систем», член ряда советов Минобрнауки России.
Ученый секретарь Комиссии ЮНЕСКО по нанонауке и нанотехнологии, член Европейского физического общества, член международной ассоциация специалистов в области техники InstituteofElectricalandElectronicsEngineers, член Института инженерии и технологий (IET), член Института электроинженеров (Англия).
Александр Сергеевич Сигов родился 31 мая 1945 года в Сталино (в настоящее время – Донецк).
В 1962 году окончил с золотой медалью среднюю школу в Киеве, в 1968 году – с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова по кафедре квантовой теории и поступил в аспирантуру.
Весь трудовой путь А.С. Сигова, начиная с 1972 года, связан с МИРЭА.
С 1985 по 1998 год он был деканом факультета электроники и оптоэлектронной техники.
В 1998 году занял должность ректора университета.
С 2013 года Александр Сергеевич является президентом РТУ МИРЭА. Кроме того, с 1989 года заведует кафедрой наноэлектроники (прежнее название – кафедра физики конденсированного состояния) РТУ МИРЭА.
В 2006 году избран членом-корреспондентом РАН, в 2011 – академиком РАН (Отделение нанотехнологий и информационных технологий).
Научная деятельность
Александр Сергеевич Сигов – специалист в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения, элементной базы информационных систем. В сферу его научных интересов входят исследование физических свойств систем с пониженной размерностью или/и структурным беспорядком и создание на их основе функциональных устройств нано-, микроэлектроники и радиофотоники.
В 1972 году он защитил диссертацию «Статические и динамические свойства доменных границ с поперечными связями в тонких ферромагнитных пленках» на соискание ученой степени кандидата наук, в 1985 году – диссертацию «Влияние дефектов на физические свойства кристаллов вблизи структурных и магнитных фазовых переходов» на соискание ученой степени доктора наук.
К основным научным достижениям А.С. Сигова относятся:
создание нового направления – активные диэлектрики для электронно-компонентной базы (разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства (ЗУ), микроэлектромеханические системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотоники);
исследование и внедрение в промышленность нового класса диэлектрических материалов для формирования диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем;
выполнение фундаментальных исследований свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков, роли дефектов разных типов и процессов самоорганизации в упорядоченных структурах для перспективных устройств наноэлектроники, включая системы с фазовыми превращениями, гигантским магнетосопротивлением, бистабильностью (результаты использованы при создании магнитных накопителей, датчиков магнитного поля, интегральных ЗУ).
Под его руководством защищено 19 квалификационных работ на соискание ученой степени кандидата наук и 12 – доктора наук.
Под авторством Александра Сергеевича вышло более 300 научных трудов, 19 монографий и учебников, 37 изобретений. Среди монографий специалисты особо выделяют следующие: «Defects and Structural Phase Transitions», «Influence of Single-Ion Anisotropy on the Exchange Bias In «Ferromagnet-Antiferromagnet» System», «Наноэлектроника. Энциклопедия систем жизнеобеспечения», «Многослойные магнитные наноструктуры. Нанонаука и нанотехнологии. Энциклопедия систем жизнеобеспечения», «Theory of Ferromagnetic-Antiferromagnetic Interface Coupling», «Фрустрированные магнитные наноструктуры»
Он является главным редактором ряда российских научных журналов («Электроника», «Наноматериалы и наноструктуры», «Российский технологический журнал»), заместителем главного редактора международных научных журналов («IntegratedFerroelectrics», «Ferroelectrics»), входит в состав редколлегий и советов журналов «Известия РАН (серия физическая)», «Микросистемная техника», «Инженерное образование», «Фотоника» и др.
Общественная деятельность
В 2004 году Александр Сергеевич организовал Межвузовский литературный форум им. Н.С. Гумилёва «Осиянное Слово», который с тех пор проводится ежегодно (https://www.osianka.com).
В интервью журналу «Студенческий меридиан» он отметил: «Высшая школа – это не только выпуск классных специалистов, это воспитание интеллигентных, всесторонне образованных людей. Уверен, что без искусства в широком смысле слова не может нормально развиваться ни инженер, ни ученый. Лично для меня это начинание открывает новые возможности общения с творческими людьми и вносит в жизнь дополнительные «элементы прекрасного»
Адлександр Сергеевич награжден орденом Почета, орденом «За заслуги перед Отечеством» IV ст., медалями; медалью и дипломом ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий». Удостоен нагрудного знака «Почетный работник высшего профессионального образования РФ».
Является лауреатом Государственной премии РФ, премии Правительства РФ в области образования и двух премий Правительства РФ в области науки и техники.
