Хотя современные технологии энергонезависимой памяти серьёзно продвинулись и их производительность достаточно высока, DRAM всё ещё быстрее. В некоторых сценариях такие скорости востребованы, даже несмотря на все ограничения, свойственные таким устройствам. Компания ATTO планирует выпустить новое поколение устройств на базе DRAM, причём речь идёт именно о блочных сетевых СХД.
Там, где речь заходит о максимальной пропускной способности, минимальной латентности и устойчивости к износу, тягаться с DRAM трудно. Ещё до широкого распространения флеш-памяти использовалась такая технология, как RAM-диск: либо часть оперативной памяти в системе конфигурировалась как диск, либо система дополнялась платами с памятью DRAM, которые функционировали аналогичным образом. Такие устройства называются, к примеру, NVRAM-ускорителями и несут на борту 8-16 Гбайт DRAM, а также некоторый объём флеш-памяти для резервного копирования.
Компания ATTO считает, что и сегодня данная технология вполне востребована, несмотря на все успехи Optane и STT-MRAM. При этом речь идёт именно о блочном доступе, а не о расширении пула оперативной памяти, как это реализовала Intel в модулях Optane DCPMM. Новые накопители ATTO SiliconDisk, по словам разработчиков, будут незаменимы там, где требуется латентность не выше 100 наносекунд.
Разработка ATTO имеет большую ёмкость и высокую скорость работы благодаря ASIC собственной разработки с «движками» для работы с памятью, интегрированными сетевыми контроллерами, Arm-ядрами общего назначения, а также системой резервного копирования данных на SSD в случае сбоев по питанию. SiliconDisk можно представить как кеширующий, разделяемый слой хранения для задач ИИ и машинного обучения, индексов баз данных, мультимедийного контента и так далее.
Компания заявляет о 6,4 миллионах IOPS на случайных 4K-операциях и линейных скоростях в районе 35 Гбайт/с при латентности, не превышающей 0,6 микросекунды. Устройство будет блочным и с точки зрения системы будет выглядеть, как обычный накопитель, однако по скоростным показателям оно займёт промежуточное место между оперативной памятью и внешними NVMe-хранилищами.
