Компания Samsung Electronics объявила сегодня об организации массового производства своих самых продвинутых твердотельных накопителей для центров обработки данных. Речь идёт об устройствах PM9A3, изготовленных в форм-факторе E1.S.
Решения выполнены в соответствии со спецификацией Open Compute Project (OCP). Южнокорейский гигант подчёркивает, что изделия обеспечивают оптимальное соотношение производительности, надёжности и энергоэффективности.
В основу положены микрочипы флеш-памяти V-NAND шестого поколения. Заявленная скорость последовательной записи информации достигает 3000 Мбайт/с. Значение IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении и произвольной записи составляет соответственно до 750 тыс. и 160 тыс.
Samsung отмечает, что накопители обеспечивают возможность записи данных со скоростью 283 Мбайт/с в расчёте на один ватт затрачиваемой энергии. Для сравнения: у решений предыдущего поколения этот параметр равен 188 Мбайт/с.
В дополнение к стандартным средствам безопасности, таким как шифрование и аутентификация, добавлены средства Secure Boot и Anti-Rollback: первый из этих инструментов предотвращает использование несанкционированной прошивки, а второй запрещает «откат» до более ранних версий встроенного ПО.
