Смартфон с поддержкой сверхбыстрой зарядки прошёл тестирование в Geekbench незадолго до ожидаемой презентации. Как водится, бенчмарк не только продемонстрировал уровень производительности гаджета, но и официально подтвердил его ключевые спецификации.
Согласно источнику, новинка будет оснащена восьмиядерным процессором Snapdragon 8 Gen 1 с максимальной тактовой частотой 3,0 ГГц. Тестирование аппарат проходил в конфигурации с 16 ГБ оперативной памяти, набрав 1279 и 3902 балла при нагрузке на одно и все ядра CPU соответственно.
Из предыдущих инсайдерских и официальных публикаций известно, что realme GT Neo 5 будет оснащён 6,7-дюймовым AMOLED-дисплеем, тройной тыльной камерой с главным датчиком на 50 Мп, и поступит в продажу в модификациях с 8, 12 и 16 ГБ ОЗУ. Ключевой особенностью модели станет поддержка 240-ваттного блока питания. Презентация смартфона ожидается в феврале текущего года.
