Samsung Electronics объявила о готовности начать производство твердотельных накопителей M.2 SSD на базе нового 5-нм контроллера и многослойной флэш-памяти V-NAND 7-го поколения — новинки в новой серии получили обозначение PM9C1a. Модели поддерживают интерфейс PCIe Gen4, позиционируются как решения для широкого применения — скоростных характеристик хватит для повседневных задач, различных требовательных профессиональных приложений и игр. Источник: Samsung Electronics Относительно предшествующих моделей (PM9B1) новинки могут похвастаться до 60% большей скоростью последовательного чтения (до 6000 МБ/с) и до 80% большей скоростью последовательной записи (до 5600 МБ/с). Показатели произвольного чтения и записи достигают 0,9 млн и 1 млн операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. Решения стали на 70% энергоэффективнее в активном режиме, а также потребляют примерно на 10% меньше энергии в режиме ожидания. Поддерживается стандарт безопасности Device Identifier Composition Engine (DICE), созданный организацией Trusted Computing Group (TCG) и позволяющий генерировать криптографические ключи внутри SSD, обеспечивая защиту от атак на цепочку поставок и любого вмешательства в прошивку. Твердотельные накопители Samsung PM9C1a будут доступны в вариантах объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ в различных форм-факторах M.2: 2230 (22×30 мм), 2242 (22×42 мм) и 2280 (22×80 мм). Источники Samsung Electronics
Samsung начинает производство быстрой и эффективной серии M.2 SSD на базе новых 5-нм контроллеров
12 января 202312 янв 2023
15
1 мин