Компания Samsung представила (откроется в новой вкладке) совершенно новый тип памяти GDDR6, который удваивает емкость пакета DRAM и увеличивает ширину интерфейса для удвоения пиковой пропускной способности. Чипы GDDR6W от Samsung используют традиционную упаковку BGA и могут применяться для основных приложений, таких как лучшие графические карты.
Современные чипы GDDR6 и GDDR6X объединяют одно устройство DRAM с 32-битным интерфейсом. В отличие от них, чип GDDR6W объединяет два устройства DRAM и, соответственно, имеет два 32-битных интерфейса, что позволяет удвоить емкость (с 16 Гб до 32 Гб на чип), а также ширину интерфейса (с 32 бит до 64 бит). Для этого в чипах Samsung GDDR6W используется разработанная компанией технология Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая заменяет традиционную печатную плату слоем перераспределения (RDL), который тоньше и имеет значительно более тонкую разводку.
Устройства GDDR6W от Samsung в целом используют те же протоколы, что и GDDR6, но обладают более высокой производительностью и емкостью. Например, чип памяти GDDR6W объемом 32 Гб может обеспечить пиковую пропускную способность 176 Гб/с, по сравнению с 88 Гб/с в случае обычного чипа GDDR6 SGRAM. Между тем, создание чипа памяти 32 Гб с использованием двух устройств памяти 16 Гб может оказаться дешевле, чем создание монолитного устройства памяти 32 Гб.
Производитель памяти утверждает, что использование упаковки FOWLP позволяет уменьшить толщину упаковки GDDR6W до 0,7 мм, по сравнению с 1,1 мм в случае стандартных чипов GDDR6, что облегчает их охлаждение. Хотя здравый смысл говорит, что упаковка FOWLP дороже традиционной упаковки BGA, неясно, насколько первая дороже второй. Тем не менее, следует отметить, что GDDR6W от Samsung должна быть дешевле памяти с высокой пропускной способностью, такой как HBM2E, как с точки зрения производства стека памяти, так и с точки зрения использования, поскольку GDDR6W не требует использования дорогих интерпозеров.
Чтобы представить заявленную производительность GDDR6W в контексте, Samsung утверждает, что 512-битная подсистема памяти GDDR6W (в которой используется восемь чипов) может обеспечить пропускную способность на уровне системы до 1,40 ГБ/с при скорости передачи данных 22 GTps. Для сравнения, 4096-битная подсистема памяти HBM2E обеспечивает пропускную способность до 1,60 ТБ/с при скорости передачи данных 3,2 ГТ/с, но по значительно более высокой цене.
Samsung стандартизирует свою технологию GDDR6W во втором квартале 2022 года. После этого компания планирует использовать свою GDDR6W для искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителей и таких устройств, как ноутбуки. Хотя AMD и Nvidia еще не поддержали GDDR6W, Samsung заявляет, что планирует сотрудничать со своими "партнерами по GPU", не раскрывая фактических компаний, с которыми она работает.
"Благодаря применению передовой технологии упаковки GDDR6, GDDR6W обеспечивает вдвое большую емкость памяти и производительность по сравнению с аналогичными по размеру пакетами", - сказал ЧолМин Парк, вице-президент по планированию нового бизнеса в подразделении памяти Samsung Electronics. "Благодаря GDDR6W мы сможем создать дифференцированные продукты памяти, способные удовлетворить различные потребности клиентов, что станет важным шагом на пути к закреплению нашего лидерства на рынке".
