Недавно я купил два полевых транзистора IRF3205 по цене 110 рублей за штуку в одном известном магазине.Также купил в другом магазине такой же транзистор IRF3205 за 70 рублей.И у меня возникли подозрения по поводу дешевого транзистора.Неужели подделка? Но как это узнать,ведь на корпусе вполне хорошая надпись и внешне плохой транзистор не определить.
Отличить оригинальный МОСФЕТ от подделки можно с помощью измерения его входной емкости.В даташите на IRF3205 указана его входная емкость в среднем 3700 пФ.Касаюсь измерительным пинцетом затвор-исток транзистора и емкость примерно 4300 пФ.Это нормально.
А теперь измеряю входную емкость поддельного транзистора за 70 рублей.Она составляет 1570 пФ.Примерно в два с половиной раза меньше емкость.О чем это говорит.А говорит это о том,что площадь кристалла такого транзистора будет меньше площади кристалла оригинального транзистора.Такие транзисторы изготавливаются по технологии HEXFET,это когда тысячи полевых транзисторов соединяются параллельно в один транзистор и поэтому у такого транзистора большой ток стока и небольшое сопротивление открытого канала.Емкость этих тысяч транзисторов будет примерно как указано в даташите.У подделки емкость меньше,значит и кристалл будет меньше,а это значит что ток транзистор выдержит меньший,нежели чем оригинал.Поставите подделку в технику и через небольшое время придется опять заменять поддельный транзистор,он будет выходить из строя.
Разломал оригинальный и поддельный транзисторы чтобы увидеть кристалл и измерить его.У оригинала площадь кристалла полупроводника примерно 4.5 мм*4мм
Кристалл подделки вы видите на фото.Его размеры примерно 2мм.Хотя это тоже МОСФЕТ,но явно на ток не 110 Ампер а намного меньше
Вывод.Дешевые транзисторы могут быть подделкой и проверять надо входную емкость,так мы узнаем,что площадь кристалла нормальная или меньше.Но есть еще один нюанс,это касается покупки высоковольтных полевых транзисторов.Кристалл оригинала и подделки может быть примерно одинаковых размеров и нормальную емкость,но подделка не выдерживает высокое напряжение
