Intel поделилась долго срочными планами по внедрению новых техпроцессов, примерно в 2029 году intal внедрид техпроцесс с нормами 1,5 нм.
В станах конкурентов-лидеров по выпуску полупроводников чуть больше ясности, что подтверждено рисковым производством TSMC чипов с нормами 5 нм, уровень брака всего 20% при норме 3-8% для кристаллов площадью 17,92 мм2 , для чипсетов размера AMD Zen 2 уровень брака будет больше до 60%, до выпуска процессоров AMD с нормами 5 нм пройдет ещё не менее полутора лет.
В Samsung дали новому транзистору коммерческое имя MBCFET (Multi Bridge Channel FET) . Предполагалось, что подобный по строению транзистор будет задействован при переходе к техпроцессу с нормами 5 нм. Но реально эта вентильная структура появится в чипах только с началом 3-нм производства Samsung. Характеристиками MBCFET транзисторов будет удобно управлять как за счёт варьирования числом страниц, расположенных друг над другом, так и с помощью изменения ширины страницы. Каждая страница ― это канал. Сумма этих переменных будет определять какой у нас транзистор: мощный и быстрый, или слабый, но малопотребляющий. Градаций будет больше двух ― от пяти до семи.
Самое интересное, ради чего затевалась эта заметка, что транзистор MBCFET может появиться только в рамках 3-нм техпроцесса, а техпроцесс с нормами 2 нм снова потребует изменений в строении транзистора. Такой новый транзистор под именем Forksheet предложил бельгийский исследовательский центр Imec.
Перед тем, как рассмотреть полученные данные, поясним, что транзистор Forksheet представляет собой модификацию транзистора с наностраницами ― того самого MBCFET или Gate-All-Around, если абстрагироваться от терминов Samsung. В транзисторе Forksheet плавник вертикального затвора чуть шире, чем у MBCFET, но наностраницы транзисторных каналов расщеплены надвое и разделены слоем диэлектрика. Фактически один MBCFET-транзистор лёгким движением руки превращается в комплементарную транзисторную пару из транзисторов p- и n-типа.
