Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о выходе на рынок её высокоскоростной памяти 2E (HBM2E) третьего поколения – «Flashbolt». Новый 16-гигабайтный HBM2E модуль предназначен для максимизации систем высокопроизводительных вычислений (HPC) и помогает производителям таких систем своевременно совершенствовать свои суперкомпьютеры, средства анализа данных на основе ИИ и современные графические системы.
Новый Flashbolt обеспечивает вдвое большую емкость по сравнению с предыдущим поколением – 8 ГБ HBM2 «Aquabolt», а также значительно повышает производительность и эффективность энергопотребления, что качественно улучшает компьютерные системы следующего поколения. Емкость 16 ГБ достигается за счет вертикального размещения восьми слоев 16-гигабитной (Gb) DRAM 10 нм класса поверх буферного чипа. Такие HBM2E интегральные модули затем соединяется между собой с помощью 40000 сквозных кремниевых межсоединений (TSV) и микроконтактных выводов, при этом каждый 16-гигабитный кристалл содержит более 5600 таких микроскопических отверстий.
Flashbolt от Samsung обеспечивает скорость передачи данных 3,2 гигабит в секунду, используя запатентованную оптимизированную схему передачи сигналов, которая в свою очередь обеспечивает пропускную способность памяти на уровне 410 ГБ/с на интегральный модуль. Samsung HBM2E может достичь скорости передачи 4,2 Гбит/с, максимальной протестированной скорости передачи данных на сегодняшний день, обеспечивая пропускную способность 538 ГБ/с на интегральный модуль. Это обеспечивает увеличение производительности в 1,75 раза по сравнению с 307 ГБ/с «Aquabolt».
Новые высокоскоростные модули памяти будут запущены в массовое производство в первой половине этого года.
