Современная электроника существует благодаря неустанной работе ученых, которые изобретают все новые и новые электронные компоненты, и эти изобретения, зачастую, получают имена своих создателей. Например, диод Шоттки или же диод Зенера (в простонародье стабилитрон). Так вот среди этих элементов есть особый транзистор Дарлингтона, вот с ним я и хочу вас сегодня познакомить. Итак, начнем.
История открытия
Транзистор Дарлингтона (он же составной транзистор) был впервые предложен инженером С. Дарлингтоном в далеком 1953 году. И по своей сути транзистор Дарлингтона - это каскадное соединение обычно двух (гораздо реже трех и больше) биполярных транзисторов. Причем они соединены так, что нагрузкой в эмиттерной цепочке предыдущего каскада оказывается переход база-эмиттер последующего каскада. Коллекторы транзисторов объединены.
И получается, что протекающий через эмиттер ток первого транзистора является базовым током второго транзистора.
Так зачем же создавать такое устройство? А вот для чего.
Основные преимущества сборки Дарлингтона
Итак, главным и неоспоримым преимуществом такой сборки является коэффициент усиления h21. Так если мы взглянем, например, на транзистор 6ГВ7 (он же КТ816), то у него коэффициент усиления h21 равен min 25, max 275, а у КТ973А данный коэффициент равен h21 min 750, Max 5000.
Как видите разница колоссальна. Кроме этого такие транзисторы могут работать при относительно высоких напряжениях. Но там где есть преимущества есть и недостатки.
Минусы транзисторов Дарлингтона
Как и любое устройство составной транзистор обладает своими недостатками и, пожалуй, самым существенным недостатком является низкое быстродействие сборки, особенно при переходе из открытого состояния в закрытое.
Именно по этой причине такие сборки используются в низкочастотных ключевых и усилительных схемах.
Так же прямое падение напряжения составного транзистора Дарлингтона практически в два раза больше, чем у обычного.
И равно сумме падений напряжения на P-N переходах соединенных транзисторов. А это, в свою очередь, ведет к тому, что при протекании через сборку тока на транзисторах рассеивается больше мощность, а, следовательно, требуется более качественное охлаждение.
Так же к условному минусу можно отнести то, что данные транзисторы на принципиальных схемах обозначаются точно так же, как и обычные транзисторы.
Сборки Дарлингтона нашли самое широкое применение в электронике. Так, например, они активно используются в микросхеме ULN2003A и т. п., которые так любят применять многие радиолюбители.
Понравилась статья, тогда подписываемся, ставим лайки и делаем репосты, чтобы не пропустить свежие материалы. Например, про сборку Шиклаи, которая стала логическим развитием транзистора Дарлингтона.
