Компания Toshiba Memory America анонсировала память XL-FLASH, которая будет применяться в устройствах хранения для дата-центров и накопителях корпоративного класса.
Об особенностях памяти XL-FLASH можно узнать в нашем материале. В её основе — технология BiCS FLASH 3D, при этом предусматривается хранение только одного бита информации в ячейке (SLC).
По сути, XL-FLASH предстоит занять промежуточное положение между DRAM и NAND. По сравнению с обычной флеш-памятью NAND новые изделия обладают значительно меньшими задержками (менее 5 мкс на операциях чтения), более высокой скоростью передачи данных и возросшей вместимостью. Если же сравнивать с DRAM, то цена XL-FLASH в расчёте на единицу данных окажется существенно ниже. XL-FLASH может составить конкуренцию памяти 3D XPoint и продуктам Intel Optane Memory на её основе.
Поначалу Toshiba наладит выпуск 128-гигабитных кристаллов XL-FLASH в массиве из двух, четырех и восьми штук в одном корпусе. Таким образом, ёмкость составит 32 Гбайт, 64 Гбайт и 128 Гбайт.
Пробные поставки изделий будут организованы в сентябре, а начало массового производства намечено на 2020 год. Цена пока не раскрывается.
Понравилась статья? Ставь лайк и подписывайся на наш канал :)
