Компания Samsung Electronics, Ltd., мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о начале массового производства первой в отрасли универсальной флеш-памяти емкостью 512 ГБ (eUFS) 3.0 для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с последней спецификацией eUFS 3.0, новая память Samsung обеспечивает вдвое большую скорость по сравнению с предыдущей памятью eUFS (eUFS 2.1), позволяя мобильной памяти поддерживать удобство работы пользователей в будущих смартфонах со сверхбольшими экранами высокого разрешения.
«Начало массового производства нашей линейки eUFS 3.0 дает нам большое преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, на котором мы обеспечиваем скорость чтения данных, ранее доступную только на сверхтонких ноутбуках», - сказал Чол Чой, исполнительный вице-президент Samsung Electronics по продажам и маркетингу памяти. «Расширяя линейку продуктов eUFS 3.0, включая 1-терабайтную версию (TB), мы надеемся, что в этом году мы сможем сыграть важную роль в ускорении темпов роста премиум-рынка мобильных устройств».
Samsung выпустила первый в отрасли UFS-интерфейс с eUFS 2.0 в январе 2015 года, что в 1,4 раза быстрее, чем стандарт мобильной памяти того времени, называемый встроенной мультимедийной картой (eMMC) 5.1. Всего за четыре года новейшая версия eUFS 3.0 соответствует производительности современных ультратонких ноутбуков.
Samsung 512GB eUFS 3.0 суммирует восемь из 512-гигабитных (Гб) V-NAND V пятого поколения от Samsung и интегрирует в себя высокопроизводительный контроллер. Новый модуль eUFS со скоростью 2100 мегабайт в секунду (МБ/с) удваивает скорость последовательного чтения последней версии памяти Samsung eUFS (eUFS 2.1), о которой было объявлено в январе. Молниеносная скорость чтения нового решения в четыре раза выше, чем у твердотельных накопителей SATA (SSD) и в 20 раз выше, чем у обычных карт microSD, что позволяет смартфонам премиум-класса передавать фильмы в формате Full HD на ПК примерно за три секунды*.
Кроме того, скорость последовательной записи также была увеличена на 50% до 410 Мб/с, что эквивалентно скорости твердотельного накопителя SATA. Скорость произвольного чтения и записи в новой памяти достигает 36-процентного увеличения по сравнению с текущей спецификацией eUFS 2.1 и составляет 63 000 и 68 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS), соответственно. Благодаря значительному увеличению скорости чтения и записи в случайном порядке более чем в 630 раз по сравнению с общими картами microSD (100 IOPS), можно одновременно запускать несколько сложных приложений, обеспечивая при этом более высокую скорость отклика, особенно на устройства нового поколения.
После выхода версии 512GB eUFS 3.0, а также 128GB, которые будут выпущены в этом месяце, Samsung планирует выпустить модели емкостью 1TB и 256GB во второй половине года, чтобы помочь мировым производителям устройств в улучшении мобильных инноваций будущего.
