В первой половине 2020-го Samsung объявила о планах начать до конца года массовое производство памяти LPDDR5 DRAM на 16 ГБ с использованием технологического процесса класса 10-нм (1z) третьего поколения. В конце лета компания сообщила, что открыла на своем предприятии в южнокорейском городе Пхёнтхэк соответствующую производственную линию с применением технологии EUV.
Новая память, по заявлению Samsung, обеспечит самую высокую скорость и самую большую емкость за всю историю мобильной DRAM.
Samsung обещает, что скорость передачи данных с новой LPDDR5 может достичь 6400 Мбит/с, то есть на 16% быстрее, чем, например, с 12-гигабайтной памятью LPDDR5 во флагманах нынешнего поколения вроде Galaxy Note 20. Так, всего за секунду может будет передать 51,2 ГБ данных.
Коммерциализация 1z-процесса также означает, что корпус для памяти LPDDR5 станет на 30% компактнее, чем прежде, а значит, займет меньше места внутри смартфонов. Сами смартфоны тоже можно будет делать тоньше, либо добавлять в корпуса тех же габаритов больше компонентов.
Понятно, что в первую очередь новая память предназначена для будущих флагманов корейского вендора, например, для смартфона Samsung Galaxy S21 (или Galaxy S30, если он будет назван так), однако Samsung подтвердила, что и другие производители телефонов получат возможность установить ее в свои аппараты.
