Южнокорейскую компанию Samsung Electronics обвинили в нарушении патента, собственником которого является бюро KAIST IP US, расположенное в пригороде Далласа. В частности, техасский суд встал на сторону KAIST IP US, и вынес решение о наложении штрафа на Samsung в размере 400 млн долларов.
По данным Bloomberg, спор, дошедший до суда, возник по поводу технологии FinFet – транзисторе, позволяющем существенно повышать производительность микрочипа, снижая его энергопотребление. Со слов представителя KAIST IP US, Samsung первоначально посчитал изобретение не заслуживающим внимания, однако когда им заинтересовались конкуренты на рынке полупроводников, а именно Intel, южнокорейский гигант вновь начал работать над этой технологией, тем самым нарушив договор между Intel и KAIST.
Samsung в свою очередь настаивает, что в разработке FinFet они также принимали участие совместно с Корейским институтом, поэтому речи о нарушении прав здесь быть не может. В связи с решением суда о наложении штрафа, южнокорейская корпорацию намерена опротестовать судебный вердикт в апелляционной инстанции.
