870 подписчиков

IGBT-модули в корпусе EconoDUAL 3

29 октября 201829 окт 2018

189

2 мин

В семейство EconoDUAL™ 3 компании Infineon входят силовые IGBT-модули с током от 100 А до 600 А на напряжения 600/650/1200/1700 В. В качестве силовых элементов применяются кристаллы с технологией IGBT4 Trench/Fieldstop, поддерживающие температуру перехода Tvjop 150 °C, что дает возможность получить высокую плотность мощности. Симметричная конструкция модулей позволяет выровнять распределение токов между полумостами IGBT при параллельной работе.

Модули EconoDUAL™ 3 имеют наиболее популярные конфигурации – полумост, мост, два транзистора с общим эмиттером, 3-уровневый инвертор, чоппер. Повысить надежность изделия можно, применив корпуса с опцией PressFIT для монтажа модулей на печатную плату драйвера методом запрессовки (суффикс B11), а не традиционной пайки. Для улучшения температурного режима и упрощения монтажа опционально наносится TIM – термопроводящий материал с повышенными эксплуатационными параметрами (суффикс Р). Кодировка модулей Infineon приведена в таблице 1.

В моделях с индексом I (в начале наименования) встроен шунтовой резистор, позволяющий контролировать выходной ток. Такая интеграция приводит к высокой точности измерения тока в широком температурном диапазоне и упрощению конструкции.

Модули семейства EconoDUAL™ 3 найдут применение для управления электродвигателями, в источниках бесперебойного питания, в солнечной энергетике, на транспорте, для строительных и сельскохозяйственных машин.

Особенности модулей EconoDUAL 3:

1200 В - технология IGBT4;
Модули 1200 В: 300 А, 450 А и 600 А;
Встроенные шунтирующие резисторы для измерения постоянного тока;
Высокая точность измерения тока в широком температурном диапазоне;
Оптимизированное распределение тепла гарантирует эффективное управление температурой;
PressFIT и винтовые клеммы;
Контрольные выводы PressFIT для уменьшения усилий по монтажу и повышения надежности соединений;
TIM - предварительно нанесенный материал термического интерфейса для достижения максимального срока службы;
Интеграция NTC для контроля температуры;
Конфигурация: полумостовые, H-мостовые, трехуровневые и два транзистора с общим эмиттером, чоппер;
Параллельная работа;
Рабочая температура: -40…+150 °C (TJ);
Низкое напряжение открытого транзистора с положительным температурным коэффициентом;
Изолированное основание