Найти тему
Maks Puzanov

Диод Шоттки и его особенности - Радиосхемы, радиодетали

Диод Шоттки.

Существует достаточно много полупроводниковых диодов, название которых связано с именами известных ученых, открывших какой-либо ранее неизвестный и необычный эффект. Среди таких можно отметить диод Шоттки, который назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки, открывшего и изучившего барьерный эффект, который возникает при определённой технологии создания p-n перехода.

Так же, как и некоторые другие радиодетали, диод Шоттки - сравнительно давнее изобретение. Его официальное название “Диод с барьером Шоттки”, что и подчеркивает суть изобретения немецкого ученого. Интересно, что, не смотря на давнее появление этого элемента, сами радиолюбители стали использовать его относительно недавно.

Причиной такого внезапного внимания к элементу стало то обстоятельство, что диод Шоттки обладает двумя очень интересными характеристиками:

  • он обладает большим быстродействием;
  • при переходе обнаруживается малое падение прямого напряжения.

Почему же так случилось? Очень просто: раньше аппаратура не работала на более высоких частотах по сравнению с современной, поэтому и диод Шоттки был особо не нужен. Сегодня же без него не обойтись.

Указанные выше характеристики обусловлены устройством электронного компонента. Диод Шоттки не имеет p-n перехода, вместо этого имеет переход металл-полупроводник.

Структура детекторного Шоттки диода: 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт 
Для чего предусмотрено такое устройство? Переход образует своего рода барьер для избытка электронов, которые вследствие этого будут распределяться в приконтактной области металлического вывода. Этот процесс будет создавать выпрямительные свойства. А поскольку высота барьера может меняться, то и свойства диода также будут меняться.

Но диод Шоттки обладает не только несомненными достоинствами. Есть у него и некоторые отрицательные свойства. Если имеет место кратковременное превышение максимального обратного напряжения, то диод Шоттки полностью из строя, тогда как обычный кремниевый p-n диод может полностью восстановить свои свойства. По сравнению с последним диод Шоттки также характеризуется повышенным обратным током, который возрастает по мере повышения температуры кристалла.
Структура детекторного Шоттки диода: 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт Для чего предусмотрено такое устройство? Переход образует своего рода барьер для избытка электронов, которые вследствие этого будут распределяться в приконтактной области металлического вывода. Этот процесс будет создавать выпрямительные свойства. А поскольку высота барьера может меняться, то и свойства диода также будут меняться. Но диод Шоттки обладает не только несомненными достоинствами. Есть у него и некоторые отрицательные свойства. Если имеет место кратковременное превышение максимального обратного напряжения, то диод Шоттки полностью из строя, тогда как обычный кремниевый p-n диод может полностью восстановить свои свойства. По сравнению с последним диод Шоттки также характеризуется повышенным обратным током, который возрастает по мере повышения температуры кристалла.

Каталог диодов импортного производства: