TOPTRONIK.RU

В 2-нм технологическом узле Samsung будет на 30% больше слоев экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) по сравнению с 3-нм, стало известно. В 3-нм узле компании было 20 слоев EUV, но позже это количество было увеличено до 20 слоев для 2-нм, сообщили источники. Ожидается, что 1,4-нм Samsung, производство которого планируется начать в 2017 году, будет иметь более 30 слоев, добавили они. Компания впервые начала применять EUV на своих 7-нм логических технологических узлах в 2018 году. С тех пор Samsung с каждым переходом на 5, а затем и на 3 нм увеличивала количество слоев EUV или количество этапов процесса EUV при производстве чипов. Заводы по производству микросхем конкурируют за приобретение большего количества устройств EUV от ASML для использования на своих передовых узлах. Лидер рынка TSMC, как сообщается, планирует заказать 65 единиц EUV до следующего года. Samsung также применяет EUV при производстве DRAM. Samsung применила до 7 слоев EUV для своего 10-нм DRAM 6 поколения, в то время как SK Hynix применила 5. По мере того, как все больше производителей микросхем расширяют свои технологические этапы EUV, ожидается рост смежных отраслей, таких как производство фоторезиста, пустой маски и пленки. 출처 : THE ELEC, Korea Electronics Industry Media(http://thelec.net)