Концепцию транзистора для оперативной памяти, основанную на спиновом магнитном моменте, предложили исследователи Университета штата Нью-Йорк в Буффало, 14 апреля новостной портал о науке ZME Science.ИА Красная Весна
Исследователи нанесли атомарный слой графена на поверхность антиферромагнитной подложки из оксида хрома Cr₂O₃.ИА Красная Весна
Графен выступает в качестве транспорта, а ориентация спинов происходит в оксиде хрома.ИА Красная Весна
В зависимости от направления спинов атомов вещества подложки (красные или зелёные стрелки), электроны в слое графена отклоняются влево или вправо.3DNews