По мере того как производители микросхем приближаются к физическим пределам миниатюризации транзисторов, дальнейший рост производительности вычислительной техники становится все более сложной задачей.Новая Наука
Исследовательская группа Пхоханского университета науки и технологий в Южной Корее разработала инновационную транзисторную технологию, основанную на использовании гетероперехода между оксидом цинка (ZnO) и теллуром (Te).
В отличие от обычных полупроводников, где ток растет с увеличением напряжения, в этом элементе наблюдается эффект отрицательной дифференциальной крутизны (NDT): ток снижается в определенном диапазоне напряжений.Компьютерра
В ходе экспериментов на реальных схемах исследователи также подтвердили, что скорость обработки данных увеличилась в четыре раза в течение одного цикла входного сигнала.Хайтек+
Источники: