Мемристоры улучшили с помощью альфа-излучения

Результаты опубликованы в журнале Applied Physics Letters.Научная Россия
После облучения количество устойчивых резистивных состояний увеличилось почти в три раза, а отношение сопротивлений в высоко- и низкоомном состоянии (ROFF/RON) — более чем в два раза.Научная Россия
Исследователи сделали вывод, что облучение альфа-частицами приводит к образованию дополнительных кислородных вакансий в слое оксида титана — дефектов, которые служат «затравками» для формирования проводящих каналов при протекании тока через образец.Научная Россия
Полученные результаты особенно важны для развития нейроморфных систем — вычислительных архитектур, имитирующих работу головного мозга.Научная Россия
Наука
7 млн интересуются